晶振行业—专业术语介绍！
作者：凌创微电子 日期：2024-04-25 浏览量：
1、标称频率：指正常匹配振荡电路下，振荡电路输出的频率值。表示为MHz（兆赫兹）或KHz（千赫兹）。
2、调整频差：指标称频率在一定温度（25℃）下的允许偏差，表示为百万分之几（ppm）。
3、温度频差：指标称频率在工作温度范围内的允许偏差。
4、工作温度：指一个晶振在一定温度的范围内工作不受影响，在超出这个范围后可能会产生偏差而使晶振无法工作。
4.1、工作温度范围：民用温度 -20℃~+70℃；工业温度 -40℃~+85℃；军用温度 -55℃~+105℃、-55℃~+125℃。
5、负载电容：任何外部电容一旦与石英晶体元器件串联，即会成为其谐振频率一个决定因素。负载电容变化时，频率也会随之改变。因此，在电路中使用时，经常会以标准负载电容来微调频率至期望值。
6、尺寸：常见尺寸有7070（70*50mm）、3225（32*25mm）、5032（50*32mm）、49s（直插）、49SMD等尺寸。
7、脚位：常见脚位有两脚位（2PIN）、三脚位（3PIN）、四脚位（4PIN）等，可根据自身需求进行选择。
8、波形：有源晶振一般输出为方波；无源晶振一般输出为正弦波。
9、静态电容：主要来自以石英芯片为介电材料与两个电极所形成的电容为主，另外一小部分来自连接石英芯片与连接线的导电接着材料之间的电容和封装外壳的电容。
10、切割方式：依据不同的应用领域及工作温度需求,产生了许多不同的石英切割角度种类。例如AT-,BT-,CT-,DT-,NT,GT…..等不同的切割板片。不同的切割方向的板片具有不同的弹性常数张量,不同的压电常数张量及不同的介电常数张量。温频特性与切割角有关，每个石英晶体具有结晶轴，晶体切割是按其振动模式沿垂直于结晶轴的角度切割的。
11、振动模式：不同的石英切割角度及不同电极形状的电场效应，石英芯片展现了各种不同的振动模式，以经常产生的振动模式可以分为弯曲模式，伸缩模式，面切变模式和厚度切变振动模式。
12、等效电阻：等效电阻（ESR，Rr，R1），又称谐振电阻。在规定条件下，石英晶体谐振器不串联负载电容在谐振频率时的电阻。
13、激励功率电平：晶体工作时所消耗功率的表征值。一般来讲，AT切晶体激励电平的增大，其频率变化是正的。激励电平过高会引起非线性效应，导致可能出现寄生振荡，严重热频漂，过应力频漂及电阻突变。当激励电平过低时则会造成起振阻力不易克服、工作不良及指标的不稳定。
14、激励电平相关性：又称激励电平依赖性，为晶体元件谐振电阻随激励电平条件变化的效应。当加在晶体元件上的激励电平改变时，其谐振电阻也随之变化，该变化在一般情况下有一定规律，可用两个激励电平所对应的两个电阻之比表示，其表达式为：DLD＝Rr1/Rr2（Rr1－为较低激励电平时的电阻，Rr2－为较高激励电平时的电阻）。
15、绝缘电阻：各绝缘引出端之间或引出端与外壳之间的电阻。
16、基频：在振动模式最低阶次的振动频率。
17、泛音：晶体振动的机械谐波。泛音频率与基频频率之比接近整数倍但不是整数倍，这是它与电气谐波的主要区别。泛音振动有3次泛音，5次泛音，7次泛音，9次泛音等。
18、老化率：以年为衡量单位，在规定条件下，晶体工作频率随时间而允许的相对变化。频率变化最大是在晶体频率组件生产完后的第一个月，之后频率随时间的变化就会减少。导致此老化的原因很多，如：密封特性和完整性、制造工艺、材料类型、工作温度和频率。
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